納米壓印光刻膠

mr-I 7000E系

納米壓印光刻膠

Tg = 60℃

優異的成膜質量

由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar

Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA

可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

Tg = 115℃

優異的成膜質量

由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar

Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA

可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

mr-I PMMA

35k/75系列

Tg = 105℃

優異的成膜質量

低分子量從而實現高效的流動性

壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar

可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

Tg = 85℃

優異的成膜質量

壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar

Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠

非極化熱塑性、具有優異的紫外和光學透過率，高化學穩定性

可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

熱固化之前Tg = 35℃

優異的成膜質量

接近等溫加工處理

n 壓印溫度120℃

n 脫模溫度100℃

壓印時溫度從Tg到Tg，Cured增加并固化

非常低的殘余膠層厚度低至5 nm

Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠

可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

光化學固化之前Tg = 40℃

優質的固體光膠薄膜

接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行

非常低的殘余膠層厚度低至10 nm

圖案轉移時高保真度

Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠

可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

寬帶或i線曝光

mr-UVCur06

納米壓印光刻膠

旋涂使用

優質的成膜質量和膠厚均一性

室溫加工處理

由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間

低劑量紫外曝光快速固化

可獲得優于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

Plasma刻蝕高阻抗性能

O2 Plasma刻蝕可無殘余去除

寬帶或i線曝光