紫外負性光刻膠

在設計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮（Polyioprene-Bisazide）的負膠。

在濕刻和電鍍應用時很強的粘附力；很容易用去膠液去除。    

單次旋涂厚度范圍如下：﹤0.1～200 μm可在i、g以及h-line波長曝光

避免了基于有機溶劑的顯影和沖洗過優于傳統正膠的優勢：控制表面形貌的優異線寬 任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁；

單次旋涂即可獲得200 μm膠厚

厚膠同樣可得到優越的分辨率

150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間；

優異的感光度進而增加曝光通量

更快的顯影，100 μm的光刻膠顯影僅需6 ～ 8分鐘光刻膠曝光時不會出現氣泡

可將一種顯影液同時應用于負膠和正膠；

不必使用增粘劑如HMDS

非常適合作為刻蝕掩模的抗干刻、濕刻性能；優異地利用PVD和lift-off加工進行圖案轉移能力；優異的電鍍性能（酸和堿性鍍液中*的穩定性）；光刻膠圖案良好的熱穩定性；堿性水溶液下顯影；

可用于甩膠和噴涂

控制表面形貌的優異線寬

任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁

單次旋涂即可獲得200 μm膠厚

厚膠同樣可得到優越的分辨率

150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間

優異的感光度進而增加曝光通量

更快的顯影，100 μm的光刻膠顯影僅需6 ～ 8分鐘

光刻膠曝光時不會出現氣泡

可將一種顯影液同時應用于負膠和正膠

優異的溫度阻抗直至180 ℃

在反應離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量

非常容易進行高能量離子注入

不必使用增粘劑如HMDS

   

非常適合作為刻蝕掩模的抗干刻、濕刻性能；優異地利用PVD和lift-off加工進行圖案轉移能力；優異的電鍍性能（酸和堿性鍍液中*的穩定性）；光刻膠圖案良好的熱穩定性；堿性水溶液下顯影；

   LED、OLED、

   顯示器、

   MEMS、

   封裝、

   生物芯片等

非常適合作為刻蝕掩模的抗干刻、濕刻性能；優異地利用PVD和lift-off加工進行圖案轉移能力；優異的電鍍性能（酸和堿性鍍液中*的穩定性）；光刻膠圖案良好的熱穩定性；堿性水溶液下顯影；